Koupit Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SISA88DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Číslo dílu

SISA88DN-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Stav sekce

Active

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® 1212-8

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® 1212-8

Ztráta energie (max.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

6.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 15V

VGS (max.)

+20V, -16V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 7311 PCS

Kontaktní informace

Související produkty