Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Číslo dílu
SIA850DJ-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
LITTLE FOOT®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ztráta energie (max.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
190V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
90pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37443 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIA850DJ-T1-GE3 Odbyt
SIA850DJ-T1-GE3 Dodavatel
SIA850DJ-T1-GE3 Distributor
SIA850DJ-T1-GE3 Datová tabulka
SIA850DJ-T1-GE3 Fotky
SIA850DJ-T1-GE3 Cena
SIA850DJ-T1-GE3 Nabídka
SIA850DJ-T1-GE3 Nejnižší cena
SIA850DJ-T1-GE3 Vyhledávání
SIA850DJ-T1-GE3 Nákup
SIA850DJ-T1-GE3 Chip