Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI8417DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
Číslo dílu
SI8417DB-T2-E1
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-MICRO FOOT™
Dodavatelský balíček zařízení
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Ztráta energie (max.)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52070 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI8417DB-T2-E1
SI8417DB-T2-E1 Elektronické komponenty
SI8417DB-T2-E1 Odbyt
SI8417DB-T2-E1 Dodavatel
SI8417DB-T2-E1 Distributor
SI8417DB-T2-E1 Datová tabulka
SI8417DB-T2-E1 Fotky
SI8417DB-T2-E1 Cena
SI8417DB-T2-E1 Nabídka
SI8417DB-T2-E1 Nejnižší cena
SI8417DB-T2-E1 Vyhledávání
SI8417DB-T2-E1 Nákup
SI8417DB-T2-E1 Chip