IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRL640STRLPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20695 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL640STRLPBF
IRL640STRLPBF Elektronické komponenty
IRL640STRLPBF Odbyt
IRL640STRLPBF Dodavatel
IRL640STRLPBF Distributor
IRL640STRLPBF Datová tabulka
IRL640STRLPBF Fotky
IRL640STRLPBF Cena
IRL640STRLPBF Nabídka
IRL640STRLPBF Nejnižší cena
IRL640STRLPBF Vyhledávání
IRL640STRLPBF Nákup
IRL640STRLPBF Chip