Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Číslo dílu
IRFR9110PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR9110PBF
IRFR9110PBF Elektronické komponenty
IRFR9110PBF Odbyt
IRFR9110PBF Dodavatel
IRFR9110PBF Distributor
IRFR9110PBF Datová tabulka
IRFR9110PBF Fotky
IRFR9110PBF Cena
IRFR9110PBF Nabídka
IRFR9110PBF Nejnižší cena
IRFR9110PBF Vyhledávání
IRFR9110PBF Nákup
IRFR9110PBF Chip