Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFR220PBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Číslo dílu
IRFR220PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40458 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFR220PBF
IRFR220PBF Elektronické komponenty
IRFR220PBF Odbyt
IRFR220PBF Dodavatel
IRFR220PBF Distributor
IRFR220PBF Datová tabulka
IRFR220PBF Fotky
IRFR220PBF Cena
IRFR220PBF Nabídka
IRFR220PBF Nejnižší cena
IRFR220PBF Vyhledávání
IRFR220PBF Nákup
IRFR220PBF Chip