Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Číslo dílu
IRFPE30PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9227 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFPE30PBF
IRFPE30PBF Elektronické komponenty
IRFPE30PBF Odbyt
IRFPE30PBF Dodavatel
IRFPE30PBF Distributor
IRFPE30PBF Datová tabulka
IRFPE30PBF Fotky
IRFPE30PBF Cena
IRFPE30PBF Nabídka
IRFPE30PBF Nejnižší cena
IRFPE30PBF Vyhledávání
IRFPE30PBF Nákup
IRFPE30PBF Chip