Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFIB5N65A
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Číslo dílu
IRFIB5N65A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
930 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1417pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFIB5N65A
IRFIB5N65A Elektronické komponenty
IRFIB5N65A Odbyt
IRFIB5N65A Dodavatel
IRFIB5N65A Distributor
IRFIB5N65A Datová tabulka
IRFIB5N65A Fotky
IRFIB5N65A Cena
IRFIB5N65A Nabídka
IRFIB5N65A Nejnižší cena
IRFIB5N65A Vyhledávání
IRFIB5N65A Nákup
IRFIB5N65A Chip