Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFI620G
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
Číslo dílu
IRFI620G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24940 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFI620G
IRFI620G Elektronické komponenty
IRFI620G Odbyt
IRFI620G Dodavatel
IRFI620G Distributor
IRFI620G Datová tabulka
IRFI620G Fotky
IRFI620G Cena
IRFI620G Nabídka
IRFI620G Nejnižší cena
IRFI620G Vyhledávání
IRFI620G Nákup
IRFI620G Chip