Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFD9014
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
Číslo dílu
IRFD9014
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
500 mOhm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41585 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFD9014
IRFD9014 Elektronické komponenty
IRFD9014 Odbyt
IRFD9014 Dodavatel
IRFD9014 Distributor
IRFD9014 Datová tabulka
IRFD9014 Fotky
IRFD9014 Cena
IRFD9014 Nabídka
IRFD9014 Nejnižší cena
IRFD9014 Vyhledávání
IRFD9014 Nákup
IRFD9014 Chip