Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRFBE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Číslo dílu
IRFBE30PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42308 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRFBE30PBF
IRFBE30PBF Elektronické komponenty
IRFBE30PBF Odbyt
IRFBE30PBF Dodavatel
IRFBE30PBF Distributor
IRFBE30PBF Datová tabulka
IRFBE30PBF Fotky
IRFBE30PBF Cena
IRFBE30PBF Nabídka
IRFBE30PBF Nejnižší cena
IRFBE30PBF Vyhledávání
IRFBE30PBF Nákup
IRFBE30PBF Chip