Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9Z24S
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Číslo dílu
IRF9Z24S
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7109 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9Z24S
IRF9Z24S Elektronické komponenty
IRF9Z24S Odbyt
IRF9Z24S Dodavatel
IRF9Z24S Distributor
IRF9Z24S Datová tabulka
IRF9Z24S Fotky
IRF9Z24S Cena
IRF9Z24S Nabídka
IRF9Z24S Nejnižší cena
IRF9Z24S Vyhledávání
IRF9Z24S Nákup
IRF9Z24S Chip