Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF630SPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Číslo dílu
IRF630SPBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42924 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF630SPBF
IRF630SPBF Elektronické komponenty
IRF630SPBF Odbyt
IRF630SPBF Dodavatel
IRF630SPBF Distributor
IRF630SPBF Datová tabulka
IRF630SPBF Fotky
IRF630SPBF Cena
IRF630SPBF Nabídka
IRF630SPBF Nejnižší cena
IRF630SPBF Vyhledávání
IRF630SPBF Nákup
IRF630SPBF Chip