Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Číslo dílu
IRF620PBF
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33309 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF620PBF
IRF620PBF Elektronické komponenty
IRF620PBF Odbyt
IRF620PBF Dodavatel
IRF620PBF Distributor
IRF620PBF Datová tabulka
IRF620PBF Fotky
IRF620PBF Cena
IRF620PBF Nabídka
IRF620PBF Nejnižší cena
IRF620PBF Vyhledávání
IRF620PBF Nákup
IRF620PBF Chip