Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF510STRR
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Číslo dílu
IRF510STRR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12407 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF510STRR
IRF510STRR Elektronické komponenty
IRF510STRR Odbyt
IRF510STRR Dodavatel
IRF510STRR Distributor
IRF510STRR Datová tabulka
IRF510STRR Fotky
IRF510STRR Cena
IRF510STRR Nabídka
IRF510STRR Nejnižší cena
IRF510STRR Vyhledávání
IRF510STRR Nákup
IRF510STRR Chip