Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IHB2EB1R2M

IHB2EB1R2M

IHB-2 1.2 20% EB E2
Číslo dílu
IHB2EB1R2M
Výrobce/značka
Série
IHB
Stav sekce
Active
Obal
-
Provozní teplota
-55°C ~ 130°C
Hodnocení
-
Typ montáže
Through Hole
Velikost/Rozměry
0.825" Dia (20.96mm)
Výška - vsedě (max.)
0.840" (21.34mm)
Tolerance
±20%
Vlastnosti
-
Balíček/pouzdro
Radial
Typ
Wirewound
Frekvence - vlastní rezonance
-
Aktuální hodnocení
17.4A
Štít
Unshielded
Dodavatelský balíček zařízení
-
Indukčnost
1.2µH
Materiál - jádro
-
Proud - Saturace
-
DC odpor (DCR)
3 mOhm Max
Q @ Frekvence
-
Indukčnost Frekvence - Test
1kHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51627 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IHB2EB1R2M
IHB2EB1R2M Elektronické komponenty
IHB2EB1R2M Odbyt
IHB2EB1R2M Dodavatel
IHB2EB1R2M Distributor
IHB2EB1R2M Datová tabulka
IHB2EB1R2M Fotky
IHB2EB1R2M Cena
IHB2EB1R2M Nabídka
IHB2EB1R2M Nejnižší cena
IHB2EB1R2M Vyhledávání
IHB2EB1R2M Nákup
IHB2EB1R2M Chip