CSD25211W1015
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Číslo dílu
CSD25211W1015
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UFBGA, DSBGA
Dodavatelský balíček zařízení
6-DSBGA (1x1.5)
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
-6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43164 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD25211W1015
CSD25211W1015 Elektronické komponenty
CSD25211W1015 Odbyt
CSD25211W1015 Dodavatel
CSD25211W1015 Distributor
CSD25211W1015 Datová tabulka
CSD25211W1015 Fotky
CSD25211W1015 Cena
CSD25211W1015 Nabídka
CSD25211W1015 Nejnižší cena
CSD25211W1015 Vyhledávání
CSD25211W1015 Nákup
CSD25211W1015 Chip