CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Číslo dílu
CSD23202W10T
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA, DSBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-DSBGA (1x1)
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
512pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
-6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17472 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD23202W10T
CSD23202W10T Elektronické komponenty
CSD23202W10T Odbyt
CSD23202W10T Dodavatel
CSD23202W10T Distributor
CSD23202W10T Datová tabulka
CSD23202W10T Fotky
CSD23202W10T Cena
CSD23202W10T Nabídka
CSD23202W10T Nejnižší cena
CSD23202W10T Vyhledávání
CSD23202W10T Nákup
CSD23202W10T Chip