Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Číslo dílu
CSD23202W10
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA, DSBGA
Dodavatelský balíček zařízení
4-DSBGA (1x1)
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
512pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
-6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48309 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD23202W10
CSD23202W10 Elektronické komponenty
CSD23202W10 Odbyt
CSD23202W10 Dodavatel
CSD23202W10 Distributor
CSD23202W10 Datová tabulka
CSD23202W10 Fotky
CSD23202W10 Cena
CSD23202W10 Nabídka
CSD23202W10 Nejnižší cena
CSD23202W10 Vyhledávání
CSD23202W10 Nákup
CSD23202W10 Chip