Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19538Q3AT
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Číslo dílu
CSD19538Q3AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (3x3.15)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 23W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
454pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6760 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT Elektronické komponenty
CSD19538Q3AT Odbyt
CSD19538Q3AT Dodavatel
CSD19538Q3AT Distributor
CSD19538Q3AT Datová tabulka
CSD19538Q3AT Fotky
CSD19538Q3AT Cena
CSD19538Q3AT Nabídka
CSD19538Q3AT Nejnižší cena
CSD19538Q3AT Vyhledávání
CSD19538Q3AT Nákup
CSD19538Q3AT Chip