CSD19538Q2T
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Číslo dílu
CSD19538Q2T
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WSON (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
454pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47081 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19538Q2T
CSD19538Q2T Elektronické komponenty
CSD19538Q2T Odbyt
CSD19538Q2T Dodavatel
CSD19538Q2T Distributor
CSD19538Q2T Datová tabulka
CSD19538Q2T Fotky
CSD19538Q2T Cena
CSD19538Q2T Nabídka
CSD19538Q2T Nejnižší cena
CSD19538Q2T Vyhledávání
CSD19538Q2T Nákup
CSD19538Q2T Chip