Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19537Q3T
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Číslo dílu
CSD19537Q3T
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46212 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19537Q3T
CSD19537Q3T Elektronické komponenty
CSD19537Q3T Odbyt
CSD19537Q3T Dodavatel
CSD19537Q3T Distributor
CSD19537Q3T Datová tabulka
CSD19537Q3T Fotky
CSD19537Q3T Cena
CSD19537Q3T Nabídka
CSD19537Q3T Nejnižší cena
CSD19537Q3T Vyhledávání
CSD19537Q3T Nákup
CSD19537Q3T Chip