Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Číslo dílu
CSD19537Q3
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37919 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19537Q3
CSD19537Q3 Elektronické komponenty
CSD19537Q3 Odbyt
CSD19537Q3 Dodavatel
CSD19537Q3 Distributor
CSD19537Q3 Datová tabulka
CSD19537Q3 Fotky
CSD19537Q3 Cena
CSD19537Q3 Nabídka
CSD19537Q3 Nejnižší cena
CSD19537Q3 Vyhledávání
CSD19537Q3 Nákup
CSD19537Q3 Chip