CSD19536KTT
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Číslo dílu
CSD19536KTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
153nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13762 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19536KTT
CSD19536KTT Elektronické komponenty
CSD19536KTT Odbyt
CSD19536KTT Dodavatel
CSD19536KTT Distributor
CSD19536KTT Datová tabulka
CSD19536KTT Fotky
CSD19536KTT Cena
CSD19536KTT Nabídka
CSD19536KTT Nejnižší cena
CSD19536KTT Vyhledávání
CSD19536KTT Nákup
CSD19536KTT Chip