Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V TO-220
Číslo dílu
CSD19536KCS
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
153nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26073 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19536KCS
CSD19536KCS Elektronické komponenty
CSD19536KCS Odbyt
CSD19536KCS Dodavatel
CSD19536KCS Distributor
CSD19536KCS Datová tabulka
CSD19536KCS Fotky
CSD19536KCS Cena
CSD19536KCS Nabídka
CSD19536KCS Nejnižší cena
CSD19536KCS Vyhledávání
CSD19536KCS Nákup
CSD19536KCS Chip