CSD19535KTT
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Číslo dílu
CSD19535KTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7930pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14657 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19535KTT
CSD19535KTT Elektronické komponenty
CSD19535KTT Odbyt
CSD19535KTT Dodavatel
CSD19535KTT Distributor
CSD19535KTT Datová tabulka
CSD19535KTT Fotky
CSD19535KTT Cena
CSD19535KTT Nabídka
CSD19535KTT Nejnižší cena
CSD19535KTT Vyhledávání
CSD19535KTT Nákup
CSD19535KTT Chip