Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19532KTTT
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Číslo dílu
CSD19532KTTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5060pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18037 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19532KTTT
CSD19532KTTT Elektronické komponenty
CSD19532KTTT Odbyt
CSD19532KTTT Dodavatel
CSD19532KTTT Distributor
CSD19532KTTT Datová tabulka
CSD19532KTTT Fotky
CSD19532KTTT Cena
CSD19532KTTT Nabídka
CSD19532KTTT Nejnižší cena
CSD19532KTTT Vyhledávání
CSD19532KTTT Nákup
CSD19532KTTT Chip