CSD19532KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Číslo dílu
CSD19532KTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5060pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38623 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19532KTT
CSD19532KTT Elektronické komponenty
CSD19532KTT Odbyt
CSD19532KTT Dodavatel
CSD19532KTT Distributor
CSD19532KTT Datová tabulka
CSD19532KTT Fotky
CSD19532KTT Cena
CSD19532KTT Nabídka
CSD19532KTT Nejnižší cena
CSD19532KTT Vyhledávání
CSD19532KTT Nákup
CSD19532KTT Chip