CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Číslo dílu
CSD19531Q5AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3870pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14632 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT Elektronické komponenty
CSD19531Q5AT Odbyt
CSD19531Q5AT Dodavatel
CSD19531Q5AT Distributor
CSD19531Q5AT Datová tabulka
CSD19531Q5AT Fotky
CSD19531Q5AT Cena
CSD19531Q5AT Nabídka
CSD19531Q5AT Nejnižší cena
CSD19531Q5AT Vyhledávání
CSD19531Q5AT Nákup
CSD19531Q5AT Chip