Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19531KCS

CSD19531KCS

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Číslo dílu
CSD19531KCS
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3870pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14845 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova CSD19531KCS
CSD19531KCS Elektronické komponenty
CSD19531KCS Odbyt
CSD19531KCS Dodavatel
CSD19531KCS Distributor
CSD19531KCS Datová tabulka
CSD19531KCS Fotky
CSD19531KCS Cena
CSD19531KCS Nabídka
CSD19531KCS Nejnižší cena
CSD19531KCS Vyhledávání
CSD19531KCS Nákup
CSD19531KCS Chip