Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD19506KTTT
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Číslo dílu
CSD19506KTTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Dodavatelský balíček zařízení
DDPAK/TO-263-3
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
156nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12200pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20369 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19506KTTT
CSD19506KTTT Elektronické komponenty
CSD19506KTTT Odbyt
CSD19506KTTT Dodavatel
CSD19506KTTT Distributor
CSD19506KTTT Datová tabulka
CSD19506KTTT Fotky
CSD19506KTTT Cena
CSD19506KTTT Nabídka
CSD19506KTTT Nejnižší cena
CSD19506KTTT Vyhledávání
CSD19506KTTT Nákup
CSD19506KTTT Chip