CSD19502Q5BT
MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6
Číslo dílu
CSD19502Q5BT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON-CLIP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4870pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35130 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD19502Q5BT
CSD19502Q5BT Elektronické komponenty
CSD19502Q5BT Odbyt
CSD19502Q5BT Dodavatel
CSD19502Q5BT Distributor
CSD19502Q5BT Datová tabulka
CSD19502Q5BT Fotky
CSD19502Q5BT Cena
CSD19502Q5BT Nabídka
CSD19502Q5BT Nejnižší cena
CSD19502Q5BT Vyhledávání
CSD19502Q5BT Nákup
CSD19502Q5BT Chip