Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD18543Q3AT

CSD18543Q3AT

60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Číslo dílu
CSD18543Q3AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
66W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26884 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova CSD18543Q3AT
CSD18543Q3AT Elektronické komponenty
CSD18543Q3AT Odbyt
CSD18543Q3AT Dodavatel
CSD18543Q3AT Distributor
CSD18543Q3AT Datová tabulka
CSD18543Q3AT Fotky
CSD18543Q3AT Cena
CSD18543Q3AT Nabídka
CSD18543Q3AT Nejnižší cena
CSD18543Q3AT Vyhledávání
CSD18543Q3AT Nákup
CSD18543Q3AT Chip