Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD18511KTT
GEN1.4 40V-20V
Číslo dílu
CSD18511KTT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AB
Ztráta energie (max.)
188W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
194A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5940pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36858 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD18511KTT
CSD18511KTT Elektronické komponenty
CSD18511KTT Odbyt
CSD18511KTT Dodavatel
CSD18511KTT Distributor
CSD18511KTT Datová tabulka
CSD18511KTT Fotky
CSD18511KTT Cena
CSD18511KTT Nabídka
CSD18511KTT Nejnižší cena
CSD18511KTT Vyhledávání
CSD18511KTT Nákup
CSD18511KTT Chip