CSD17579Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Číslo dílu
CSD17579Q5AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1030pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36389 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD17579Q5AT
CSD17579Q5AT Elektronické komponenty
CSD17579Q5AT Odbyt
CSD17579Q5AT Dodavatel
CSD17579Q5AT Distributor
CSD17579Q5AT Datová tabulka
CSD17579Q5AT Fotky
CSD17579Q5AT Cena
CSD17579Q5AT Nabídka
CSD17579Q5AT Nejnižší cena
CSD17579Q5AT Vyhledávání
CSD17579Q5AT Nákup
CSD17579Q5AT Chip