CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Číslo dílu
CSD17579Q3AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (3x3.15)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
998pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42002 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD17579Q3AT
CSD17579Q3AT Elektronické komponenty
CSD17579Q3AT Odbyt
CSD17579Q3AT Dodavatel
CSD17579Q3AT Distributor
CSD17579Q3AT Datová tabulka
CSD17579Q3AT Fotky
CSD17579Q3AT Cena
CSD17579Q3AT Nabídka
CSD17579Q3AT Nejnižší cena
CSD17579Q3AT Vyhledávání
CSD17579Q3AT Nákup
CSD17579Q3AT Chip