Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD17577Q3AT
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Číslo dílu
CSD17577Q3AT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (3x3.15)
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 53W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18798 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD17577Q3AT
CSD17577Q3AT Elektronické komponenty
CSD17577Q3AT Odbyt
CSD17577Q3AT Dodavatel
CSD17577Q3AT Distributor
CSD17577Q3AT Datová tabulka
CSD17577Q3AT Fotky
CSD17577Q3AT Cena
CSD17577Q3AT Nabídka
CSD17577Q3AT Nejnižší cena
CSD17577Q3AT Vyhledávání
CSD17577Q3AT Nákup
CSD17577Q3AT Chip