Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD17556Q5BT
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Číslo dílu
CSD17556Q5BT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON-CLIP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.65V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7020pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54715 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD17556Q5BT
CSD17556Q5BT Elektronické komponenty
CSD17556Q5BT Odbyt
CSD17556Q5BT Dodavatel
CSD17556Q5BT Distributor
CSD17556Q5BT Datová tabulka
CSD17556Q5BT Fotky
CSD17556Q5BT Cena
CSD17556Q5BT Nabídka
CSD17556Q5BT Nejnižší cena
CSD17556Q5BT Vyhledávání
CSD17556Q5BT Nákup
CSD17556Q5BT Chip