CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A
Číslo dílu
CSD17313Q2T
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WSON (2x2)
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 17W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
3V, 8V
VGS (max.)
+10V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20879 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD17313Q2T
CSD17313Q2T Elektronické komponenty
CSD17313Q2T Odbyt
CSD17313Q2T Dodavatel
CSD17313Q2T Distributor
CSD17313Q2T Datová tabulka
CSD17313Q2T Fotky
CSD17313Q2T Cena
CSD17313Q2T Nabídka
CSD17313Q2T Nejnižší cena
CSD17313Q2T Vyhledávání
CSD17313Q2T Nákup
CSD17313Q2T Chip