Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD16570Q5BT
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Číslo dílu
CSD16570Q5BT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35307 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD16570Q5BT
CSD16570Q5BT Elektronické komponenty
CSD16570Q5BT Odbyt
CSD16570Q5BT Dodavatel
CSD16570Q5BT Distributor
CSD16570Q5BT Datová tabulka
CSD16570Q5BT Fotky
CSD16570Q5BT Cena
CSD16570Q5BT Nabídka
CSD16570Q5BT Nejnižší cena
CSD16570Q5BT Vyhledávání
CSD16570Q5BT Nákup
CSD16570Q5BT Chip