CSD16570Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Číslo dílu
CSD16570Q5B
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON-CLIP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD16570Q5B
CSD16570Q5B Elektronické komponenty
CSD16570Q5B Odbyt
CSD16570Q5B Dodavatel
CSD16570Q5B Distributor
CSD16570Q5B Datová tabulka
CSD16570Q5B Fotky
CSD16570Q5B Cena
CSD16570Q5B Nabídka
CSD16570Q5B Nejnižší cena
CSD16570Q5B Vyhledávání
CSD16570Q5B Nákup
CSD16570Q5B Chip