Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD16556Q5B
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Číslo dílu
CSD16556Q5B
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSONP (5x6)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 191W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.07 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6180pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43905 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD16556Q5B
CSD16556Q5B Elektronické komponenty
CSD16556Q5B Odbyt
CSD16556Q5B Dodavatel
CSD16556Q5B Distributor
CSD16556Q5B Datová tabulka
CSD16556Q5B Fotky
CSD16556Q5B Cena
CSD16556Q5B Nabídka
CSD16556Q5B Nejnižší cena
CSD16556Q5B Vyhledávání
CSD16556Q5B Nákup
CSD16556Q5B Chip