CSD16327Q3T
CSD16327Q3T
Číslo dílu
CSD16327Q3T
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 12.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
3V, 8V
VGS (max.)
+10V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53538 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD16327Q3T
CSD16327Q3T Elektronické komponenty
CSD16327Q3T Odbyt
CSD16327Q3T Dodavatel
CSD16327Q3T Distributor
CSD16327Q3T Datová tabulka
CSD16327Q3T Fotky
CSD16327Q3T Cena
CSD16327Q3T Nabídka
CSD16327Q3T Nejnižší cena
CSD16327Q3T Vyhledávání
CSD16327Q3T Nákup
CSD16327Q3T Chip