Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CSD16323Q3
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
Číslo dílu
CSD16323Q3
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 12.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
3V, 8V
VGS (max.)
+10V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47265 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD16323Q3
CSD16323Q3 Elektronické komponenty
CSD16323Q3 Odbyt
CSD16323Q3 Dodavatel
CSD16323Q3 Distributor
CSD16323Q3 Datová tabulka
CSD16323Q3 Fotky
CSD16323Q3 Cena
CSD16323Q3 Nabídka
CSD16323Q3 Nejnižší cena
CSD16323Q3 Vyhledávání
CSD16323Q3 Nákup
CSD16323Q3 Chip