CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Číslo dílu
CSD13306WT
Výrobce/značka
Série
NexFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UFBGA, DSBGA
Dodavatelský balíček zařízení
6-DSBGA (1x1.5)
Ztráta energie (max.)
1.9W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32340 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CSD13306WT
CSD13306WT Elektronické komponenty
CSD13306WT Odbyt
CSD13306WT Dodavatel
CSD13306WT Distributor
CSD13306WT Datová tabulka
CSD13306WT Fotky
CSD13306WT Cena
CSD13306WT Nabídka
CSD13306WT Nejnižší cena
CSD13306WT Vyhledávání
CSD13306WT Nákup
CSD13306WT Chip