Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Číslo dílu

TSM60NB190CM2 RNG

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dodavatelský balíček zařízení

TO-263 (D²Pak)

Ztráta energie (max.)

150.6W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 39038 PCS

Kontaktní informace

Související produkty