Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW C1G MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM60NB041PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Číslo dílu

TSM60NB041PW C1G

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-247-3

Dodavatelský balíček zařízení

TO-247

Ztráta energie (max.)

446W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

78A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

41 mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

6120pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 21078 PCS

Kontaktní informace

Související produkty