Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM60N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251

Číslo dílu

TSM60N1R4CH C5G

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Not For New Designs

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Dodavatelský balíček zařízení

TO-251 (IPAK)

Ztráta energie (max.)

38W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

3.3A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 100V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 54000 PCS

Kontaktní informace

Související produkty