Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TSM2NB65CH X0G

TSM2NB65CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Číslo dílu
TSM2NB65CH X0G
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251 (IPAK)
Ztráta energie (max.)
65W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37274 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova TSM2NB65CH X0G
TSM2NB65CH X0G Elektronické komponenty
TSM2NB65CH X0G Odbyt
TSM2NB65CH X0G Dodavatel
TSM2NB65CH X0G Distributor
TSM2NB65CH X0G Datová tabulka
TSM2NB65CH X0G Fotky
TSM2NB65CH X0G Cena
TSM2NB65CH X0G Nabídka
TSM2NB65CH X0G Nejnižší cena
TSM2NB65CH X0G Vyhledávání
TSM2NB65CH X0G Nákup
TSM2NB65CH X0G Chip