TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Číslo dílu
TSM2N60SCW RPG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43317 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TSM2N60SCW RPG
TSM2N60SCW RPG Elektronické komponenty
TSM2N60SCW RPG Odbyt
TSM2N60SCW RPG Dodavatel
TSM2N60SCW RPG Distributor
TSM2N60SCW RPG Datová tabulka
TSM2N60SCW RPG Fotky
TSM2N60SCW RPG Cena
TSM2N60SCW RPG Nabídka
TSM2N60SCW RPG Nejnižší cena
TSM2N60SCW RPG Vyhledávání
TSM2N60SCW RPG Nákup
TSM2N60SCW RPG Chip